概要：中国半导体企业英诺赛科在氮化镓（GaN）技术竞争中与美国宜普（EPC）发生专利纠纷。英诺赛科对EPC的四项涉诉专利提起IPR，预计会判定无效。英诺赛科在专利战中取得阶段性胜利，拥有约700项专利及申请，是全球氮化镓出货量领先企业，财务表现强劲。
在科技浪潮的汹涌澎湃中，第三代半导体技术正崭露头角，特别是氮化镓（GaN）这一前沿领域，已成为全球科技巨头竞相角逐的新战场。在这一激烈的技术竞赛中，中国领军企业英诺赛科与美国知名企业宜普（EPC）之间的专利纷争，更是成为了业界瞩目的焦点。
英诺赛科，这家在半导体领域具有深厚底蕴的领军企业，近日针对EPC的四项关键涉诉专利，提出了强烈的挑战。公司正式发表声明，宣告这四项IPR（Inter partes review）已获美国专利商标局（简称“USPTO”）的受理，正式进入无效审查程序。英诺赛科坚信，在不久的将来，这四项专利将被判定为无效，而公司也将在与EPC的这场争议中占据上风。
这是一场关乎技术未来、企业尊严的较量。英诺赛科，凭借其在半导体领域的卓越实力和创新精神，无疑为这场竞赛）
